München / 12. November 2019 - 15. November 2019
SEMICON Europa
SEMICONDUCTORS DRIVE SMART
Halle B1, Stand 221
Gemeinschaftsstand von Silicon Saxony
SEMICONDUCTORS DRIVE SMART
Halle B1, Stand 221
Gemeinschaftsstand von Silicon Saxony
Fraunhofer ENAS präsentierte im Rahmen seines Messeauftritts zur SEMICON Europa 2019 das Leitprojekt »Go Beyond 4.0«.
Das Institut stellte einen gemeinsam mit den Fraunhofer-Instituten IWU und ILT entwickeltes Verfahren zum Druck von Leiterbahnen auf Metall mit integrierten LEDs. Gezeigt wurde wie auf einer Aluminiumscheibe mittels Laserstrukturierung der Leitbahnen (Fraunhofer ILT), Drucken der isolierenden und leitfähigen Materialien sowie Bestückung mit LEDs (Fraunhofer ENAS und abschließender Metallumformung (Fraunhofer IWU) ein Metallstück mit integrierten elektronischen Bauteilen entsteht.